[发明专利]一种微波铁电复合薄膜电容器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种微波铁电复合薄膜电容器，其是以单晶基片为衬底、以1‑3型微波铁电复合薄膜为介电层、以Pt、Au、Ag、Al、Cu、SrRuO或La0.5Sr0.5CoO3为电极的叉指结构的电容器。本发明所述的微波铁电复合薄膜电容器的介电层（掺杂低介电常数材料的BST复合薄膜）具有典型的1‑3型复合结构，与普通以外延BST薄膜为介电层的电容器相比，具有明显更高的调谐率和更低的介电损耗。本发明同时公开了所述电容器的制备方法，其是采用磁控和脉冲激光共沉积的方法，在特定的条件及特定的基片上沉积制备得到1‑3型复合薄膜，然后通过采用光刻工艺和磁控设备构建得到叉指结构的电容器，采用本发明的方法所制备的电容器具有更高的调谐率和更低的介电损耗。

主权项

一种微波铁电复合薄膜电容器，其特征是，所述电容器是以单晶基片为衬底、以微波铁电复合薄膜为介电层、以Pt、Au、Ag、Al、Cu、SrRuO或La0.5Sr0.5CoO3为电极的叉指结构的电容器；所述单晶基片为MgO单晶基片、LaAlO3单晶基片、Al2O3单晶基片、Si单晶基片或SrTiO3单晶基片；所述微波铁电复合薄膜是在钛酸锶钡中掺杂有MgO的1‑3型复合薄膜，其厚度为100~2000nm；所述MgO在所述钛酸锶钡中的掺杂体积比为1﹕1~1﹕160；所述钛酸锶钡的Ba/Sr比为0.1﹕0.9~0.9﹕0.1。