[发明专利]浅沟槽隔离的工艺方法

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离的工艺方法，包括：提供一半导体衬底，在衬底上形成硬质掩膜层；采用刻蚀工艺在衬底中形成隔离沟槽；对硬质掩膜层进行回刻，并在隔离沟槽侧壁、底部表面形成内衬层；沉积隔离介质层充满所述隔离沟槽并覆盖硬质掩膜层的表面，并对隔离介质层进行平坦化工艺；对隔离介质层进行第一次回刻；在隔离介质层表面无定形碳侧墙；对所述隔离介质层进行第二次回刻；采用刻蚀工艺去除硬质掩膜层及无定形碳侧墙，以形成浅沟槽隔离结构。本发明可避免在浅沟槽隔离结构与半导体衬底接缝处出现凹槽，提高所形成浅沟槽隔离结构的形貌，进而提高包含所形成浅沟槽隔离结构的半导体器件的电学性能。

主权项

一种浅沟槽隔离的工艺方法，其特征在于，包括：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述衬底上形成硬质掩膜层，所述硬质掩膜层内形成暴露出所述衬底的开口；步骤S02：采用刻蚀工艺在所述衬底中形成隔离沟槽；其中，所述隔离沟槽的底部位于所述衬底中；步骤S03：对所述硬质掩膜层进行回刻，并在所述隔离沟槽侧壁、底部表面形成内衬层；步骤S04：沉积隔离介质层充满所述隔离沟槽并覆盖所述硬质掩膜层的表面，并对所述隔离介质层进行平坦化工艺至剩余的硬质掩膜层的表面；步骤S05：沿所述开口对所述隔离介质层进行第一次回刻，使所述隔离介质层的上表面位于所述硬质掩膜层中；步骤S06：在所述隔离介质层表面形成无定形碳层，并对无定形碳层进行刻蚀以形成无定形碳侧墙；步骤S07：以无定形碳侧墙为掩膜对所述隔离介质层进行第二次回刻；其中，所述隔离介质层的上表面高于所述衬底的上表面；步骤S08：采用刻蚀工艺去除所述硬质掩膜层及无定形碳侧墙，以形成浅沟槽隔离结构。