[发明专利]IGBT器件制备方法及IGBT器件

摘要

本申请涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种IGBT器件制备方法及IGBT器件，基于传统制备IGBT器件工艺的基础上，通过先进行衬底背面离子注入工艺并退火后，再对衬底进行正面金属化工艺，并利用lift-off的剥离方式制备正面金属层，有效的避免传统的衬底正面金属化的光刻腐蚀工艺，进而实现简单实用的背面注入后的薄片高温退火工艺，在满足工艺需求的同时，还大大的降低了制备IGBT器件的工艺成本。

主权项

一种IGBT器件制备方法，其特征在于，所述方法包括：于一衬底中制备IGBT单元的本体区后，于所述本地区中形成源极区；在所述衬底的正面制备包含有栅氧化层和场氧化层的绝缘薄膜，并于所述绝缘薄膜上沉积多晶硅薄膜；部分刻蚀所述多晶硅薄膜至所述衬底的正面表面，形成将局部所述源级区暴露的接触孔；沉积一钝化层，所述钝化层覆盖所述多晶硅薄膜且部分填充所述接触孔；刻蚀位于所述接触孔内的所述钝化层，保留位于所述多晶硅薄膜上方和所述接触孔侧壁附着的钝化层；依次制备SiO薄膜、SiN薄膜形成复合层，且所述复合层覆盖所述钝化层暴露的表面及暴露的源极区；生长一SiO材料层，并对所述SiO材料层进行图案化工艺，保留交叠于所述场氧化层之上的一SiO预留区；以所述SiO预留区作为掩膜刻蚀掉所述SiN薄膜未被所述SiO预留区遮蔽住的区域；在所述衬底的背面进行减薄工艺，并于减薄后的衬底背面注入与衬底导电类型相反的离子；去除未被所述SiO预留区覆盖住而暴露的SiO薄膜后，在所述接触孔内制备与源极区保持电性接触的金属栓塞，和生成覆盖于SiO预留区、钝化层之上的金属材料层；移除覆盖在所述SiO预留区上的金属材料层。