[发明专利]一种双面发光的LED芯片封装结构在审
| 申请号： | 201410360317.6 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104091879A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 胡溢文 | 申请（专利权）人： | 胡溢文 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 | 代理人： | 刘伍堂 |
| 地址： | 215122 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及LED封装技术领域，具体地说是一种双面发光的LED芯片封装结构，包括芯片，芯片包括P电极、P极电流扩散层、P氮化镓P-Gan、N电极、N极电流扩散层、N氮化镓N-Gan和蓝宝石衬底。本发明同现有技术相比，设计了双面发光的LED芯片封装结构，将本发明的芯片倒置，并与基板表面的印刷电路通过锡球连接，一方面，由于取消了原有的DBR反射层，在P氮化镓P-Gan和N氮化镓N-Gan双面发光时，提高了芯片的发光效率；另一方面，由于采用的依然是正装芯片，相比倒装芯片，LED灯丝的制造成本得以降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 发光 led 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种双面发光的LED芯片封装结构，包括芯片，其特征在于：芯片（9）包括P电极（1）、P极电流扩散层（2）、P氮化镓P‑Gan（3）、N电极（4）、N极电流扩散层（5）、N氮化镓N‑Gan（6）和蓝宝石衬底（7），蓝宝石衬底（7）的上表面贴附有N氮化镓N‑Gan（6），N氮化镓N‑Gan（6）的上表面一端和中部贴附有P氮化镓P‑Gan（3），P氮化镓P‑Gan（3）的上表面贴附有P极电流扩散层（2），P极电流扩散层（2）的上表面贴附有P电极（1），N氮化镓N‑Gan（6）的上表面另一端贴附有N极电流扩散层（5），N极电流扩散层（5）的上表面贴附有N电极（4）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胡溢文，未经胡溢文许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410360317.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锂离子电池正极材料及其制备方法
- 下一篇：去除LED芯粒背镀层的方法
