[发明专利]采用液相烧结制备以氧化锆为增韧相的碳化硅陶瓷的方法有效

专利信息
申请号: 201410363201.8 申请日: 2014-07-28
公开(公告)号: CN104140265A 公开(公告)日: 2014-11-12
发明(设计)人: 梁汉琴;黄政仁;刘学建;姚秀敏 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;郑优丽
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种采用液相烧结制备以氧化锆为增韧相的碳化硅陶瓷的方法,所述方法包括:1)将含有SiC粉体、Al2O3粉体、Y2O3粉体和ZrO2粉体的原料与溶剂均匀混合得到碳化硅陶瓷浆料;2)将碳化硅陶瓷浆料干燥后、粉碎、研磨、过筛得到碳化硅陶瓷粉体;3)将碳化硅陶瓷粉体通过干压、等静压处理得到碳化硅陶瓷素坯;4)将碳化硅陶瓷素坯烧结。
搜索关键词: 采用 烧结 制备 氧化锆 增韧相 碳化硅 陶瓷 方法
【主权项】:
一种采用液相烧结制备以氧化锆为增韧相的碳化硅陶瓷的方法,其特征在于,所述方法包括:1)将含有SiC粉体、Al2O3粉体、Y2O3粉体和ZrO2粉体的原料与溶剂均匀混合得到碳化硅陶瓷浆料,其中,Al2O3粉体占原料的2.19‑4.38 wt%,Y2O3粉体占原料的2.81‑5.62wt%,ZrO2粉体占原料的1‑5wt%,原料中其余部分为SiC粉体;2)将步骤1)制备的碳化硅陶瓷浆料干燥后、粉碎、研磨、过筛得到碳化硅陶瓷粉体;3)将步骤2)制备的碳化硅陶瓷粉体通过干压、等静压处理得到碳化硅陶瓷素坯;4)将步骤3)制备的碳化硅陶瓷素坯在氩气气氛、1850‑1950℃下烧结,即得所述以氧化锆为增韧相的碳化硅陶瓷。
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