[发明专利]放大器电路有效

专利信息
申请号: 201410363787.8 申请日: 2014-07-28
公开(公告)号: CN104378072B 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 杰拉德·简-路易斯·布伊斯 申请(专利权)人: 安普林荷兰有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H03F3/26
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 代理人: 浦彩华,姚开丽
地址: 荷兰奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供了一种差分放大器电路,该差分放大器电路用于基于LDMOS的放大器。差分放大器电路包含高电阻率衬底和独立的DC接地和AC接地。这种放大器电路可以不需要用于接地的通过衬底的通孔。
搜索关键词: 放大器 电路
【主权项】:
一种封装的高功率射频RF放大器电路,包括差分放大器电路,所述差分放大器电路包括:半导体晶片,该半导体晶片具有高电阻率衬底并且包括第一LDMOS晶体管和第二LDMOS晶体管,其中,所述第一LDMOS晶体管的源极通过源极到源极的连接电连接到所述第二LDMOS晶体管的源极,其特征在于,所述差分放大器电路还包括:第一组多个键合引线,所述第一组多个键合引线在所述第一LDMOS晶体管的漏极与所述第二LDMOS晶体管的漏极之间延伸,其中,所述源极到源极的连接由中间层金属形成,以使得由于所述差分放大器电路的差分操作,所述源极到源极的连接的中点成为虚拟AC地,所述第一LDMOS晶体管的源极和所述第二LDMOS晶体管的源极各自通过连接到地的物理连接进行DC接地,连接到地的所述物理连接与所述源极到源极的连接分离;并且其中,所述高电阻率衬底具有大于50Ω*cm的电阻率。
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