[发明专利]放大器电路有效
申请号: | 201410363787.8 | 申请日: | 2014-07-28 |
公开(公告)号: | CN104378072B | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 杰拉德·简-路易斯·布伊斯 | 申请(专利权)人: | 安普林荷兰有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45;H03F3/26 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人: | 浦彩华,姚开丽 |
地址: | 荷兰奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种差分放大器电路,该差分放大器电路用于基于LDMOS的放大器。差分放大器电路包含高电阻率衬底和独立的DC接地和AC接地。这种放大器电路可以不需要用于接地的通过衬底的通孔。 | ||
搜索关键词: | 放大器 电路 | ||
【主权项】:
一种封装的高功率射频RF放大器电路,包括差分放大器电路,所述差分放大器电路包括:半导体晶片,该半导体晶片具有高电阻率衬底并且包括第一LDMOS晶体管和第二LDMOS晶体管,其中,所述第一LDMOS晶体管的源极通过源极到源极的连接电连接到所述第二LDMOS晶体管的源极,其特征在于,所述差分放大器电路还包括:第一组多个键合引线,所述第一组多个键合引线在所述第一LDMOS晶体管的漏极与所述第二LDMOS晶体管的漏极之间延伸,其中,所述源极到源极的连接由中间层金属形成,以使得由于所述差分放大器电路的差分操作,所述源极到源极的连接的中点成为虚拟AC地,所述第一LDMOS晶体管的源极和所述第二LDMOS晶体管的源极各自通过连接到地的物理连接进行DC接地,连接到地的所述物理连接与所述源极到源极的连接分离;并且其中,所述高电阻率衬底具有大于50Ω*cm的电阻率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安普林荷兰有限公司,未经安普林荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410363787.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种汽车坐垫加热用温度传感器
- 下一篇:温度感应电路