[发明专利]一种高压驱动电路的隔离结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高压驱动电路的隔离结构及其制备方法，其与传统隔离结构的改进在于，在第二P型阱区的两侧分别填充1条N型阱区，从而提高隔离性能。本发明在保证隔离结构的耐压的同时，抑制隔离结构中高压区与横向扩散场效应晶体管漏端的穿通漏电。

主权项

一种高压驱动电路的隔离结构，包括P型衬底(1)和设置在P型衬底(1)上表面的P型外延层(2)，在P型衬底(1)和P型外延层(2)的交界处分别设置了第一N型埋层(31)和第二N型埋层(32)，所述P型外延层(2)内设有低压区(130)、第一P型阱区(11)、第二P型阱区(12)、第一N型阱区(21)、第二N型阱区(22)和第三N型阱区(23)，所述低压区(130)沿P型外延层的边缘设置一周，所述第一P型阱区(11)位于低压区(130)的环绕区域内并沿低压区(130)的内周环绕一周，第一P型阱区(11)底部连接P型衬底(1)的上表面，所述第二P型阱区(12)呈U形，位于第一P型阱区(11)的环绕区域内，且两端分别连接第一P型阱区(11)，从而形成闭合区域，第二P型阱区(12)的底部连接P型衬底(1)的上表面，所述第一N型阱区(21)位于第一P型阱区(11)的环绕区域内并沿第一P型阱区(11)的内周环绕一周，且第一N型阱区(21)的环宽小于第二P型阱区(12)的长度，第一N型阱区(21)的底部连接P型衬底(1)的上表面，所述第二N型阱区(22)的底部连接第一N型埋层(31)，且第二N型阱区(22)位于第二P型阱区(12)内部与第一N型阱区(21)内周形成的闭合区域内，所述第三N型阱区(23)的底部连接第二N型埋层(32)，且第三N型阱区(23)位于第二P型阱区(12)外部与第一N型阱区(21)内周形成的区域内，在第三N型阱区(23)上设有N+电极(6)，第一P型阱区(11)与第二P型阱区(12)形成的闭合区域内设有高压横向扩散金属氧化物场效应晶体管(149)，所述高压横向扩散金属氧化物场效应晶体管(149)以第一N型阱区(21)作为漂移区，高压横向扩散金属氧化物场效应晶体管(149)的衬底电极(3)和源极(4)位于第一P型阱区(11)内，高压横向扩散金属氧化物场效应晶体管(149)的漏极(5)位于第二N型阱区(22)内，其特征在于：还包括第四N型阱区(54)和第五N型阱区(55)，其中，第 四N型阱区(54)填充在第二N型阱区(22)与第二P型阱区(12)之间，且第四N型阱区(54)的底部连接P型衬底(1)的上表面；第五N型阱区(55)填充在第三N型阱区(23)与第二P型阱区(12)之间，且第五N型阱区(55)的底部连接P型衬底(1)的上表面；所述第四N型阱区(54)的掺杂浓度低于第二N型阱区(22)的掺杂浓度；所述第五N型阱区(55)的掺杂浓度低于第三N型阱区(23)的掺杂浓度；所述第四N型阱区(54)和第五N型阱区(55)的宽度在0.1‑3微米之间。