[发明专利]一种直接制备纯8-羟基喹啉铝的方法有效
申请号: | 201410366779.9 | 申请日: | 2014-07-30 |
公开(公告)号: | CN104151238A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 钟学明 | 申请(专利权)人: | 南昌航空大学 |
主分类号: | C07D215/30 | 分类号: | C07D215/30 |
代理公司: | 南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 | 代理人: | 欧阳沁 |
地址: | 330063 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开一种直接制备纯8-羟基喹啉铝的方法,以二乙酸氢氧化铝和8-羟基喹啉为原料,包括二个步骤。第一步混料:按照摩尔比为二乙酸氢氧化铝:8-羟基喹啉=1:3,将反应原料加入混料机中,混合均匀;第二步热熔反应:将混合均匀的反应原料转移至反应器中,充入氮气驱除反应器中的空气后,并且在氮气保护下,升温至120℃~130℃,反应2h~3h;反应完毕,冷却至室温,出料,获得纯度为98%~99%的8-羟基喹啉铝。本发明具有流程短、产率高、无废液排放、生产成本低等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 直接 制备 羟基 喹啉 方法 | ||
【主权项】:
一种直接制备纯8‑羟基喹啉铝的方法,其特征在于:所述的方法采用热熔反应体系,在氮气保护下,以二乙酸氢氧化铝和8‑羟基喹啉为反应原料,直接制备纯8‑羟基喹啉铝,具体通过以下步骤来实现:第一步,混料按照摩尔比为二乙酸氢氧化铝:8‑羟基喹啉=1:3,将反应原料加入混料机中,混合均匀;第二步,热熔反应将混合均匀的反应原料转移至反应器中,充入氮气驱除反应器中的空气后,并且在氮气保护下,升温至120℃~130℃,反应2 h~3 h;反应完毕,冷却至室温,出料,获得纯度为98%~99%的8‑羟基喹啉铝。
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