[发明专利]半导体器件和用于进行训练操作的半导体系统有效

专利信息
申请号: 201410367088.0 申请日: 2014-07-29
公开(公告)号: CN104916307B 公开(公告)日: 2018-10-30
发明(设计)人: 高福林 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C8/06 分类号: G11C8/06;G11C8/08
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 俞波;毋二省
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种半导体器件包括标志信号发生器、参考电压发生器和第一缓冲器。标志信号发生器响应于内部命令和信息码而产生标志信号。参考电压发生器响应于标志信号而接收设定码,且产生具有根据设定码调节的电压电平的参考电压。第一缓冲器响应于参考电压而对外部信号进行缓冲以产生内部信号以及响应于标志信号而产生校验码。
搜索关键词: 标志信号 缓冲器 标志信号发生器 参考电压发生器 响应 半导体器件 参考电压 半导体系统 电压电平 内部信号 训练操作 校验码 信息码 缓冲 外部
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:标志信号发生器,适于响应于内部命令和从外部信号中提取的信息码而产生标志信号;参考电压发生器,适于响应于所述标志信号而接收设定码,且产生具有根据所述设定码来调节的电压电平的参考电压;以及第一缓冲器,适于响应于所述参考电压而对所述外部信号进行缓冲以产生内部信号以及响应于所述标志信号而产生校验码。
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