[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底，衬底内形成有隔离结构，第一区域相邻隔离结构之间具有第一开口，第二区域相邻隔离结构之间具有第二开口，在第一开口内形成有填充层；形成填充满第二开口的浮栅导电层，浮栅导电层还覆盖于隔离结构顶部表面以及填充层顶部表面；采用化学机械抛光工艺，去除高于所述隔离结构表面以及填充层表面的浮栅导电层；去除填充层；在第一区域和第二区域形成栅间介质层；去除第一区域的栅间介质层，直至暴露出第一区域衬底表面。本发明避免在第一区域相邻隔离结构之间形成浮栅导电层，从而避免对第一区域衬底造成刻蚀，提高半导体器件的电学性能和可靠性。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底，所述衬底内形成有隔离结构，所述隔离结构顶部表面高于衬底表面，第一区域相邻隔离结构之间具有第一开口，第二区域相邻隔离结构之间具有第二开口，且所述第一开口尺寸大于第二开口尺寸，在第一开口内形成有填充满所述第一开口的填充层，所述填充层顶部与第一区域隔离结构顶部齐平；形成填充满所述第二开口的浮栅导电层，所述浮栅导电层还覆盖于隔离结构顶部表面以及填充层顶部表面；采用化学机械抛光工艺，去除高于所述隔离结构表面以及填充层表面的浮栅导电层，使第二区域的隔离结构顶部表面与浮栅导电层顶部表面齐平，且第一区域和第二区域的隔离结构顶部表面齐平；去除所述填充层；在所述第一区域和第二区域隔离结构表面、以及第二区域的浮栅导电层表面形成栅间介质层；去除所述第一区域的栅间介质层，直至暴露出第一区域衬底表面。