[发明专利]接触插塞的形成方法

摘要

一种接触插塞的形成方法，包括：提供包括接触孔区和无接触孔区的衬底；在接触孔区形成至少一个第一MOS晶体管，在无接触孔区形成至少一个第二MOS晶体管；在衬底、第一和第二MOS晶体管上形成介质层；在无接触孔区的介质层内形成至少一个牺牲开口，牺牲开口位于第二MOS晶体管区域的上方；在接触孔区的介质层内形成至少一个接触孔，接触孔的底部分别露出第一MOS晶体管的源极、漏极和栅极结构的至少其中一个；采用导电层填充满牺牲开口和接触孔，分别形成牺牲插塞和接触插塞；去除介质层上的导电层、牺牲插塞、部分厚度的介质层及部分接触插塞，使剩余厚度的介质层顶部与接触插塞顶部齐平。采用本发明的方法能提高半导体器件的性能。

主权项

1.一种接触插塞的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括接触孔区和无接触孔区；在所述接触孔区形成至少一个第一MOS晶体管，在所述无接触孔区形成至少一个第二MOS晶体管；在所述半导体衬底、第一MOS晶体管和第二MOS晶体管上形成介质层；在所述无接触孔区的介质层内形成至少一个牺牲开口，所述牺牲开口位于所述第二MOS晶体管区域的上方；在所述接触孔区的介质层内形成至少一个接触孔，所述接触孔的底部分别露出第一MOS晶体管中的源极、漏极和栅极结构的至少其中一个；采用导电层填充满所述牺牲开口和所述接触孔，分别形成牺牲插塞和接触插塞；采用化学机械研磨方法，去除所述介质层上的导电层、所述牺牲插塞、部分厚度的介质层及部分接触插塞，使剩余厚度的介质层顶部与接触插塞顶部齐平。