[发明专利]一种增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201410369694.6 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN104167440B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;袁嵩;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。这种新结构是在晶体管2DEG所在的高阻GaN层的源端到栅电极部分使用P型掺杂的GaN，于是在栅压为零时，由于P型GaN与2DEG界面处势垒的阻挡作用使得电子无法到达源电极实现器件导通，器件处于关断状态；当栅极加正电压时，栅极下的2DEG浓度提高，使其能带高度下降，随着电压进一步增大，2DEG能带高度进一步下降，2DEG与P型GaN的势垒厚度也不断减小，直到在漏源电压的作用下发生遂穿，实现器件导通。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 algan gan 异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，包括半绝缘衬底、缓冲层、GaN层、AlGaN层、源极、栅极以及漏极，AlGaN与GaN界面处形成很薄的2DEG；源极和漏极均通过欧姆接触与GaN层、AlGaN层相连；其特征在于：所述GaN层在靠近电极一侧有一部分区域为P型掺杂GaN，对应于自源极至部分栅极所覆盖的区域，P型掺杂GaN与2DEG为直接接触，满足在栅压为零时P型掺杂GaN与2DEG界面处势垒的阻挡作用使器件关断，在栅极加电正压时遂穿导通。
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