[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；在衬底内形成包括第一部分和第二部分的沟槽；在沟槽的第一部分底部和侧壁表面形成第一阻挡层，第一阻挡层捕获衬底内的点阵空位缺陷或填隙原子缺陷；在所述沟槽的第二部分底部和侧壁表面形成第二阻挡层，所述第二阻挡层捕获衬底内的点阵空位缺陷或填隙原子缺陷，且第一阻挡层和第二阻挡层捕获的缺陷类型不同；形成填充满沟槽的介质层；在第一区域衬底内形成第一阱区；在第二区域衬底内形成第二阱区，且第二阱区与第一阱区的掺杂类型相反。本发明有效的防止第一阱区内以及第二阱区内掺杂离子的扩散，使半导体器件具有良好的电隔离性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域和与所述第一区域相邻接的第二区域；在所述衬底内形成沟槽，所述沟槽包括第一部分以及与所述第一部分相邻接的第二部分，其中，所述沟槽的第一部分位于第一区域衬底内，所述沟槽的第二部分位于第二区域衬底内；对所述位于第一区域的沟槽进行第一掺杂处理，在所述沟槽的第一部分底部和侧壁表面形成第一阻挡层，所述第一阻挡层捕获衬底内的点阵空位缺陷或填隙原子缺陷；对所述位于第二区域的沟槽进行第二掺杂处理，在所述沟槽的第二部分底部和侧壁表面形成第二阻挡层，所述第二阻挡层捕获衬底内的点阵空位缺陷或填隙原子缺陷，且所述第二阻挡层和第一阻挡层捕获的缺陷类型不同；形成填充满所述沟槽的介质层；对所述第一区域衬底进行第三掺杂处理，在第一区域衬底内形成第一阱区；对所述第二区域衬底进行第四掺杂处理，在第二区域衬底内形成第二阱区，且所述第二阱区与第一阱区的掺杂类型相反。