[发明专利]一种晶片流片方法有效
| 申请号： | 201410370209.7 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105448648B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 陈建国;谢春诚;刘蓬 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶片流片方法，用以改善晶片的应力状况。本发明实施例的方法包括：对晶片进行正面处理工艺，在所述正面处理工艺过程中制作划片槽；在所述晶片完成所述正面处理工艺之后，将所述划片槽刻蚀；对所述晶片进行背面的工艺。由于在进行完正面处理工艺之后，对划片槽进行了刻蚀，从而可使晶片内部的应力可以释放出来，大大降低了后续步骤如减薄背金等碎片裂片的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片流片方法，其特征在于，具体包括：对晶片进行正面处理工艺，在所述正面处理工艺过程中制作划片槽；在所述晶片完成所述正面处理工艺之后，将所述划片槽刻蚀；对所述晶片进行背面的工艺；其中，所述正面处理工艺为在衬底上的外延层上生长氧化物、氮化物及淀积金属层；所述划片槽最多刻蚀至衬底表面且最少刻蚀至衬底的外延层内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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