[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201410370983.8 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104091869B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 胡弃疾;苗振林;汪延明 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种发光二极管芯片，其特征在于，包括电流扩展层；外延层，位于所述电流扩展层之下；图形化蓝宝石衬底，位于所述外延层之下，其中所述图形化蓝宝石衬底具有上表面和下表面，所述上表面靠近所述外延层；以及分布式布拉格反射层，覆盖所述图形化蓝宝石衬底的所述下表面。本申请结合图形化蓝宝石衬底技术和分布式布拉格反射技术来制作发光二极管芯片，提高了发光二极管芯片底部的光的发射角度，减少分布式布拉格反射技术的光发生全反射的几率，增加了光的出射几率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：电流扩展层，包括：金属电极、电流阻挡层、厚度为600～1200埃的透明导电层、氧化硅保护层；外延层，位于所述电流扩展层之下；其中，所述电流扩展层为在干法刻蚀后的外延层上，用等离子体化学气相沉积法沉积二氧化硅后做光刻制成的电流扩展层；图形化蓝宝石衬底，位于所述外延层之下，其中所述图形化蓝宝石衬底具有上表面和下表面，所述上表面靠近所述外延层，其中，图形化蓝宝石衬底的图形为朝蓝宝石衬底的上表面方向凹陷的高度为1.5μm的圆锥形，且所述圆锥形周期为每隔3μm一个，其中，所述蓝宝石衬底为经过研磨减薄并抛光后的蓝宝石衬底；以及分布式布拉格反射层，覆盖所述图形化蓝宝石衬底的所述下表面，其中，所述分布式布拉格反射层是通过真空镀膜技术在所述图形化蓝宝石衬底的所述下表面交替排列不同氧化物层所形成，所述不同氧化物层为二氧化硅层和二氧化钛层，共计20～40层。
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