[发明专利]一种阵列基板的制备方法

摘要

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可以避免由于源极图案和漏极图案采用活性较强的材料时，其表面氧化而导致像素电极图案无法与源极图案或漏极图案连接的问题；该阵列基板的制备方法包括在衬底基板上形成栅极图案、栅绝缘层图案、金属氧化物半导体有源层图案；形成刻蚀阻挡层；先形成像素电极图案，再形成源极图案和漏极图案；其中，所述像素电极图案通过所述源极图案或者漏极图案与所述金属氧化物半导体有源层图案连接。用于阵列基板、显示装置的制造。

主权项

一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成栅极图案、栅绝缘层图案、金属氧化物半导体有源层图案；形成刻蚀阻挡层；先形成像素电极图案，再形成源极图案和漏极图案；其中，所述像素电极图案通过所述源极图案或者漏极图案与所述金属氧化物半导体有源层图案连接；在形成所述刻蚀阻挡层之后形成所述像素电极图案之前，所述方法还包括：对所述刻蚀阻挡层进行一次构图工艺处理，形成包括第一过孔和第二过孔的刻蚀阻挡层图案；并形成位于除像素区域外且至少覆盖所述第一过孔和所述第二过孔的光刻胶层图案；所述先形成像素电极图案，再形成源极图案和漏极图案，其中，所述像素电极图案通过所述源极图案或者漏极图案与所述金属氧化物半导体有源层图案连接，包括：在形成有所述光刻胶层图案的基板上，形成所述像素电极图案；并去除所述光刻胶层图案，露出所述第一过孔和所述第二过孔；在形成有所述像素电极图案的基板上形成所述源极图案和所述漏极图案；所述源极图案通过所述第一过孔与所述金属氧化物半导体有源层图案相连，所述漏极图案通过所述第二过孔与所述金属氧化物半导体有源层图案相连，所述源极图案或所述漏极图案与所述像素电极图案相连。