[发明专利]具有单元沟槽结构和接触点的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了具有单元沟槽结构和接触点的半导体器件及其制造方法。第一单元沟槽结构和第二单元沟槽从第一表面延伸至半导体衬底中。该第一单元沟槽结构包括第一埋置电极以及在该第一埋置电极和半导体台面之间的第一绝缘层，半导体台面分隔第一单元沟槽结构和第二单元沟槽结构。包覆层覆盖第一表面。图形化该包覆层以形成具有最小宽度大于第一绝缘层厚度的开口。该开口暴露第一绝缘层在第一表面处的第一垂直部分。除去第一绝缘层的暴露部分以形成在半导体台面和第一埋置电极之间的凹部。接触结构在该开口和该凹部中。接触结构电连接半导体台面中的埋置区和第一埋置电极，并允许更窄的半导体台面宽度。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供从第一表面延伸至半导体部分中的第一单元沟槽结构和第二单元沟槽结构，其中所述第一单元沟槽结构包括第一埋置电极以及在所述第一埋置电极和半导体台面之间的第一绝缘层，所述半导体台面分隔所述第一单元沟槽结构和所述第二单元沟槽结构；提供覆盖所述第一表面的包覆层；图形化所述包覆层以形成具有最小宽度大于所述第一绝缘层的厚度的开口，所述开口暴露在所述第一表面处的所述第一绝缘层的第一垂直部分；除去所述第一绝缘层的暴露部分以在所述半导体台面和所述第一埋置电极之间形成凹部；以及在所述凹部和所述开口中提供接触结构。