[发明专利]GaN基LED结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201410374699.8 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN105470355A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 吴明驰 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基LED结构及其形成方法。本发明实施例的GaN基LED结构包括：衬底；位于衬底之上的第一掺杂类型GaN层；位于第一掺杂类型GaN层之上的量子阱发光层；位于量子阱发光层之上的第二掺杂类型GaN层；电子阻挡层，电子阻挡层位于量子阱发光层与P掺杂类型GaN层之间，其中，电子阻挡层包括块结构层和超晶格结构层，块结构层的禁带宽度大于GaN的禁带宽度，超晶格结构层用于调节P掺杂类型GaN层与块结构层之间的能带倾斜程度以降低空穴势垒高度；以及P电极和N电极。本发明采用块结构层加超晶格结构层的复合结构，大幅度提升电子空穴在量子阱发光层内的复合发光效率，且具有结构简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底之上的第一掺杂类型GaN层；位于所述第一掺杂类型GaN层之上的量子阱发光层；位于所述量子阱发光层之上的第二掺杂类型GaN层；电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述量子阱发光层与P掺杂类型GaN层之间，其中，所述电子阻挡层包括块结构层和超晶格结构层，所述块结构层的禁带宽度大于GaN的禁带宽度，所述超晶格结构层用于调节所述P掺杂类型GaN层与所述块结构层之间的能带倾斜程度以降低空穴势垒高度；以及P电极和N电极。
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