[发明专利]无结晶体管在审
| 申请号： | 201410375232.5 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104241334A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/165;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种无结晶体管，涉及半导体场效应晶体管技术领域，采用SiGe作为无结晶体管的材料，Ge的加入能够提高无结晶体管的电子和空穴的迁移率，且器件的源区和漏区与沟道区中的Ge含量有差别，这种源漏异质结的结构能够提高空穴的发射速度和迁移率，同时，使用能够提高空穴迁移率的<100>晶向作为晶体管沟道的晶向，与异质结SiGe增强空穴迁移率的效果共同作用，解决纳米线晶体管迁移率过小的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶体 | ||
【主权项】：
一种无结晶体管，其特征在于，包括位于一SiGe衬底上的栅极，位于所述栅极底部两侧的衬底中形成有源区和漏区，所述源区和漏区之间形成有沟道区，且所述沟道区沿所述源区指向漏区的方向上的晶向为<100>；其中，所述源区和漏区的Ge含量与所述沟道区的Ge含量不同，藉由SiGe衬底中制成的源区、漏区和沟道区以及栅极结成无结的场效应晶体管。
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