[发明专利]制备多晶硅的系统无效
申请号: | 201410375453.2 | 申请日: | 2014-07-31 |
公开(公告)号: | CN104150486A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 石何武;郑红梅;严大洲;汤传斌;肖荣晖 | 申请(专利权)人: | 中国恩菲工程技术有限公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 李志东 |
地址: | 100038*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备多晶硅的系统,该系统包括:多个还原炉,多个还原炉通过管道串联连接,并将上游还原炉产生的还原尾气供给至下游还原炉中;三氯氢硅入口,三氯氢硅入口设置在管道上;氢气入口,氢气入口设置在管道上;三氯氢硅储罐,三氯氢硅储罐分别与第一个还原炉和三氯氢硅入口相连,用于将三氯氢硅供给至还原炉中;以及氢气储罐,氢气储罐分别与第一个还原炉和氢气入口相连,用于将氢气供给至还原炉中。该系统可以实现物料的循环使用,并且显著降低还原尾气的处理成本。 | ||
搜索关键词: | 制备 多晶 系统 | ||
【主权项】:
一种制备多晶硅的系统,其特征在于,包括:多个还原炉,所述多个还原炉通过管道串联连接,并将上游所述还原炉产生的还原尾气供给至下游所述还原炉中;三氯氢硅入口,所述三氯氢硅入口设置在所述管道上;氢气入口,所述氢气入口设置在所述管道上;三氯氢硅储罐,所述三氯氢硅储罐分别与第一个还原炉和所述三氯氢硅入口相连,用于将三氯氢硅供给至所述还原炉中;以及氢气储罐,所述氢气储罐分别与所述第一个还原炉和所述氢气入口相连,用于将氢气供给至所述还原炉中。
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