[发明专利]LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片有效
| 申请号： | 201410376488.8 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104157745B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 林传强;戚运东;周佐华 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 长沙智嵘专利代理事务所43211 | 代理人： | 黄子平 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片，LED外延层结构，包括依次叠置的掺Si‑N型GaN层、MQW层和P型AlGaN层，所述MQW层包括多个依次叠置的MQW单元，所述MQW单元包括叠置的InXGa(1‑X)N层和GaN层，由所述掺Si‑N型GaN层向P型AlGaN层方向，各所述InXGa(1‑X)N层中的X由0.05～0.3匀速渐变至0.3～0.05。本发明提供的LED芯片从In组分渐变出发，通过调整多量子阱层中In组分分布的起伏，增加发光层准量子点的数目，提高电子和空穴波函数的交叠积分，提高电子和空穴的复合效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 生长 方法 具有 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED外延层结构，包括依次叠置的掺Si‑N型GaN层、MQW层和P型AlGaN层，所述MQW层包括多个依次叠置的MQW单元，所述MQW单元包括叠置的InXGa(1‑X)N层和GaN层，其特征在于，由所述掺Si‑N型GaN层向P型AlGaN层方向，所述InXGa(1‑X)N层中的X自第一个InXGa(1‑X)N层起由A以相同的变化量逐层增大至B，其中0.05≤A≤0.3，A＜B≤0.3，且任一InXGa(1‑X)N层的X值固定。
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