[发明专利]屏蔽栅极沟道金属氧化物半导体场效应管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410376659.7 | 申请日： | 2010-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN104134696A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 陈军;李一宽;常虹;李文军;安荷·叭剌;哈姆扎·依玛兹 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;贾慧琴 |
| 地址： | 美国加利福尼亚9*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种屏蔽栅极沟道金属氧化物半导体场效应管器件及其制备，该方法包括制备多个沟道，包含使用第一个掩膜，在多个沟道中的至少若干个沟道里，形成第一个多晶硅区，形成一个多晶硅间隔介质区和一个终止保护区，包含使用第二个掩膜，在多个沟道中的至少若干个沟道里，形成第二个多晶硅区，形成到第一多晶硅区的第一个电接触，形成到第二多晶硅区的第二个电接触，包含使用第三个掩膜，沉积一个金属层，以及形成一个源极金属区和一个栅极金属区，包括使用第四个掩膜。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 栅极 沟道 金属 氧化物 半导体 场效应 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括： 一个衬底； 一个在衬底中的有源栅极沟道；以及 一个在衬底中的源极多晶硅连接沟道；其中： 所述的源极多晶硅连接沟道含有一个多晶硅电极；以及 所述的多晶硅电极的顶面位于本体区的底面下方。
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