[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

实施方式的半导体装置具备第1导电型的第1GaN类半导体层；第1导电型的第2GaN类半导体层，设在第1GaN类半导体层上；第2导电型的第3GaN类半导体层，设在第2GaN类半导体层上的一部分区域中；第1导电型的第4GaN类半导体层，设在第3GaN类半导体层上，是外延生长层；栅极绝缘膜，设在第2GaN类半导体层、第3GaN类半导体层及第4GaN类半导体层上；栅极电极，设在栅极绝缘膜上；第1电极，设在第4GaN类半导体层上；第2电极，设在第1GaN类半导体层的与第2GaN类半导体层相反的一侧；第3电极，设在第2GaN类半导体层上。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的第1GaN类半导体层；第1导电型的第2GaN类半导体层，设在上述第1GaN类半导体层上，第1导电型的杂质浓度比上述第1GaN类半导体层低；第2导电型的第3GaN类半导体层，设在上述第2GaN类半导体层上的一部分区域中；第1导电型的第4GaN类半导体层，设在上述第3GaN类半导体层上，是外延生长层，第1导电型的杂质浓度比上述第2GaN类半导体层高；栅极绝缘膜，设在上述第2GaN类半导体层、第3GaN类半导体层及第4GaN类半导体层上；栅极电极，设在上述栅极绝缘膜上；第1电极，设在上述第4GaN类半导体层上；第2电极，设在上述第1GaN类半导体层的与上述第2GaN类半导体层相反的一侧；第3电极，设在上述第2GaN类半导体层上；以及多个第2导电型的第5GaN类半导体层，在上述第2GaN类半导体层上的一部分区域中将上述第1电极及上述第3电极包围且分别分离地设置，第2导电型的杂质浓度与上述第3GaN类半导体层大致相同。