[发明专利]被动调Q微片激光器

摘要

本发明涉及一种被动调Q微片激光器，包括激光二极管(1)、第一透镜(2)、偏振立方体分光镜(3)、分光镜(4)、第二透镜(5)、激光晶体(6)和半导体可饱和吸收镜(8)，所述第一透镜(2)设置在激光二极管(1)和偏振立方体分光镜(3)之间，依照光路依次设置第一透镜(2)、偏振立方体分光镜(3)、分光镜(4)、第二透镜(5)、激光晶体(6)和半导体可饱和吸收镜(8)。本发明提供的被动调Q微片激光器本发明提供的被动调Q微片激光器通过改变泵浦光的强度得到较高的能量。重复频率和频率调谐宽度是当时最高水平，该激光器可以采用光子晶体光纤进行一级放大便可得到十几瓦的能量输出。

主权项

一种被动调Q微片激光器，其特征在于：所述激光器包括激光二极管(1)、第一透镜(2)、偏振立方体分光镜(3)、分光镜(4)、第二透镜(5)、激光晶体(6)和半导体可饱和吸收镜(8)，所述第一透镜(2)设置在激光二极管(1)和偏振立方体分光镜(3)之间，依照光路依次设置第一透镜(2)、偏振立方体分光镜(3)、分光镜(4)、第二透镜(5)、激光晶体(6)和半导体可饱和吸收镜(8)。