[发明专利]对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法在审
| 申请号： | 201410377423.5 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104134468A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;王国明;张美芸;李阳;许晓欣;刘红涛;吕杭炳;刘琦;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法，该方法包括：判断RRAM存储器当前所处的状态，以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲；连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲，并在向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器的状态是否失效，在RRAM存储器失效时记录最后使RRAM器件失效的加载编程脉冲和擦除脉冲次数10^Ln，即得到耐久性参数为10^Ln-1次，其中Ln＝n-1，n为自然数。利用本发明，极大加快了待测器件耐久性参数的获取。 | ||
| 搜索关键词： | rram 存储器 耐久性 参数 进行 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：判断RRAM存储器当前所处的状态，以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲；步骤2：连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲，并在向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器的状态是否失效，在RRAM存储器失效时记录最后使RRAM器件失效的加载编程脉冲和擦除脉冲次数10^Ln，即得到耐久性参数为10^Ln‑1次，其中Ln＝n‑1，n为自然数。
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