[发明专利]晶圆缺陷检测方法在审
| 申请号： | 201410377444.7 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104103545A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆缺陷检测方法，通过将掩模版缺陷检测结果转移到晶圆缺陷检测设备中，并提高掩模版上缺陷对应位置周围的检测灵敏度，以检测实际晶圆上的缺陷，可以对在掩模版检测中发现的缺陷，在生产中验证其对实际电路的影响，从而实现掩模版缺陷检测在生产中晶圆缺陷检测的联动，对晶圆缺陷检测中难以捕捉的缺陷提高灵敏度，进而提高晶圆缺陷检测的查全率。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，提供一晶圆以及该晶圆光刻所用的掩模版；步骤S02，对该掩模版进行缺陷检测，得到含有缺陷位置信息的第一检测结果；步骤S03，将该第一检测结果输入到晶圆缺陷检测设备中；步骤S04，在晶圆缺陷检测设备中提高对该晶圆上与该掩模版缺陷位置信息的相对应位置的检测灵敏度，对该晶圆进行缺陷检测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
