[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410377487.5 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN105329839B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 郑超;刘炼;李卫刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述制备方法包括步骤S1提供基底，在所述基底上形成有第一牺牲材料层和位于所述第一牺牲材料层上的支撑材料层，其中，在所述支撑材料层上还形成有间隔设置的晶核种子；步骤S2图案化所述支撑材料层和所述晶核种子，以在所述第一牺牲材料层上形成间隔设置的至少两个支撑材料叠层；步骤S3对所述晶核种子进行退火，以将所述晶核种子转变成凸起；步骤S4在所述支撑材料叠层以及所述第一牺牲材料层上形成震荡膜材料层，以在所述凸起上形成震荡膜锚部，同时在所述震荡膜锚部之间形成震荡膜。本发明的优点在于使震荡膜锚部(Anchor)和震荡膜(Membrane)的接触面更加柔和，保护了震荡膜(Membrane)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有第一牺牲材料层和位于所述第一牺牲材料层上的支撑材料层，其中，在所述支撑材料层上还形成有间隔设置的晶核种子；步骤S2：图案化所述支撑材料层和所述晶核种子，以在所述第一牺牲材料层上形成间隔设置的至少两个支撑材料叠层；步骤S3：对所述晶核种子进行退火，以将所述晶核种子转变成凸起；步骤S4：在所述支撑材料叠层以及所述第一牺牲材料层上形成震荡膜材料层，以在所述凸起上形成震荡膜锚部，同时在所述震荡膜锚部之间形成震荡膜。
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