[发明专利]Cu2ZnSnS4肖特基二极管结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201410377497.9 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104157704A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 何俊;张俊;孙琳;杨平雄;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/12;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新的Cu2ZnSnS4肖特基二极管结构及制备方法。所述Cu2ZnSnS4肖特基二极管结构包括衬底，金属底电极层，Cu2ZnSnS4薄膜层和金属顶电极层；在所述衬底上，自下而上依次沉积所述金属底电极层、Cu2ZnSnS4薄膜层和金属顶电极层。本发明Cu2ZnSnS4肖特基二极管避免器件结构中出现大的串联电阻，从而优化肖特基二极管的理想因子，有利于提高器件的截止频率，适合应用于高频电路中。本发明所用原料丰富，价格低廉，抗辐射抗衰减能力强，稳定性好，沉积方法较为多样，衬底选择性多，使得器件结构设计比较灵活，制备工艺简单，具广泛应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | cu sub znsns 肖特基 二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Cu2ZnSnS4肖特基二极管结构，其特征在于，其包括衬底(1)，金属底电极层(2)，Cu2ZnSnS4薄膜层(3)和金属顶电极层(4)；其中，在所述衬底(1)上，自下而上依次沉积所述金属底电极层(2)、Cu2ZnSnS4薄膜层(3)和金属顶电极层(4)。
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