[发明专利]基于LTCC的E波段高抑制带通滤波器

摘要

本发明公开了一种基于LTCC的E波段高抑制带通滤波器，包括三层陶瓷基板，含有两个耦合缝隙的第一金属层，含有两个耦合缝隙的第二金属层，第三金属层，八十二个金属化通孔，由八十个金属化通孔和第二层陶瓷基板、第三层陶瓷基板形成的四个谐振腔，第一谐振腔和第二谐振腔之间的第一耦合缝隙，第二谐振腔和第三谐振腔之间的第二耦合缝隙，第三谐振腔和第四谐振腔之间的第三耦合缝隙，以及第一层陶瓷基板和第一金属化通孔构成的输入端口，第一层陶瓷基板和第二金属化通孔构成的输出端口。本发明频带为E波段，具有频段频率覆盖广、插入损耗小、频率选择性好、谐波抑制特性好、电路结构简单、可控性好等突出优点，对于未来高速率数据无线通信具有有重大应用前景。

主权项

一种基于LTCC的E波段高抑制带通滤波器，其特征在于，包括三层陶瓷基板(S1、S2、S3)，含有两个耦合缝隙(C1、C2)的第一金属层(L1)，含有两个耦合缝隙(C12、C34)的第二金属层(L2)，第三金属层(L3)，八十二个金属化通孔(V1～V82)，由八十个金属化通孔(V3～V82)和第二层陶瓷基板(S2)、第三层陶瓷基板(S3)形成的四个谐振腔(R1、R2、R3、R4)，第一谐振腔(R1)和第二谐振腔(R2)之间的第一耦合缝隙(C12)，第二谐振腔(R2)和第三谐振腔(R3)之间的第二耦合缝隙(C23)，第三谐振腔(R3)和第四谐振腔(R4)之间的第三耦合缝隙(C34)，以及第一层陶瓷基板(S1)和第一金属化通孔(V1)构成的输入端口(P1)，第一层陶瓷基板(S1)和第二金属化通孔(V2)构成的输出端口(P2)；所述第一谐振腔(R1)由二十三个金属化通孔即第三～十七金属化通孔(V3、V4、V5、V6、V7、V8、V9、V10、V11、V12、V13、V14、V15、V16、V17)、第三十五～四十二金属化通孔(V35、V36、V37、V38、V39、V40、V41、V42)和第二层陶瓷基板(S2)、第一金属层(L1)、第二金属层(L2)形成；第二谐振腔(R2)由二十三个金属化通孔即第四十三～五十七金属化通孔(V43、V44、V45、V46、V47、V48、V49、V50、V51、V52、V53、V54、V55、V56、V57)、第七十五～八十二金属化通孔(V75、V76、V77、V78、V79、V80、V81、V82)和第三层陶瓷基板(S3)、第二金属层(L2)、第三金属层(L3)形成；第三谐振腔(R3)由二十三个金属化通孔即第五十五～七十七金属化通孔(V55、V56、V57、V58、V59、V60、V61、V62、V63、V64、V65、V66、V67、V68、V69、V70、V71、V72、V73、V74、V75、V76、V77)和第三层陶瓷基板(S3)、第二金属层(L2)、第三金属层(L3)形成；第四谐振腔(R4)由二十三个金属化通孔即第十五～三十七金属化通孔(V15、V16、V17、V18、V19、V20、V21、V22、V23、V24、V25、V26、V27、V28、V29、V30、V31、V32、V33、V34、V35、V36、V37)和第二层陶瓷基板(S2)、第一金属层(L1)、第二金属层(L2)形成；第一谐振腔(R1)和第二谐振腔(R2)通过第一耦合缝隙(C12)耦合，第二谐振腔(R2)和第三谐振腔(R3)通过第二耦合缝隙(C23)耦合，第三谐振腔(R3)和第四谐振腔(R4)通过第三耦合缝隙(C34)耦合；所述第一耦合缝隙(C12)是第一谐振腔(R1)与第二个谐振腔(R2)之间的耦合缝隙，且第一耦合缝隙(C12)为设置于第二金属层(L2)的圆形缝隙；第二耦合缝隙(C23)是第五十五～五十七金属化通孔(V55、V56、V57)与第七十五～七十七金属化通孔(V75、V76、V77)之间的缝隙；第三耦合缝隙(C34)是第三谐振腔(R3)与第四谐振腔(R4)之间的耦合缝隙，且第三耦合缝隙(C34)为设置于第二层金属层(L2)的两个对称长方形缝隙。