[发明专利]半导体开关电路、信号处理装置以及超声波诊断装置有效
申请号: | 201410379935.5 | 申请日: | 2014-08-04 |
公开(公告)号: | CN104467770B | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 本多启伸;山下史哲;相泽淳一 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立功率半导体 |
主分类号: | H03K17/567 | 分类号: | H03K17/567;H03K17/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 李国华 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体开关电路、信号处理装置以及超声波诊断装置。在半导体开关电路中,能够处理正负两极性的高电压信号,并且能够由低压电源进行控制。半导体开关电路具备由连接栅极彼此和源极彼此的2个MOSFET、以及在栅极、源极间逆向连接的齐纳二极管(ZD1)构成的第1开关对(81);与第1开关对(81)同样地构成的第2开关对(82);以及由连接栅极彼此和源极彼此的2个MOSFET构成的第3开关对(83)。第1开关对(81)和第2开关对(82)在2个输入输出端子(101、102)间,经由连接节点(84)而串联连接。第3开关对(83)被连接在第1开关对(81)与第2开关对(82)之间的连接节点(84)和接地之间。 | ||
搜索关键词: | 半导体 开关电路 信号 处理 装置 以及 超声波 诊断 | ||
【主权项】:
一种半导体开关电路,其特征在于,具备:第1开关对,其由连接栅极彼此和源极彼此的2个MOSFET、以及在栅极、源极间逆向连接的齐纳二极管构成;第2开关对,其由连接栅极彼此和源极彼此的2个MOSFET、以及在栅极、源极间逆向连接的齐纳二极管构成;第3开关对,其由连接栅极彼此和源极彼此的2个MOSFET构成;以及浮栅控制电路,其通过被施加正的电源电压,来驱动所述第1开关对、所述第2开关对以及所述第3开关对,所述第1开关对和所述第2开关对在2个输入输出端子间经由连接节点而串联连接,该第3开关对连接于所述第1开关对与所述第2开关对之间的所述连接节点与接地之间,所述浮栅控制电路具备:逆变器,其使开关控制信号反转;第1驱动电路,其基于所述逆变器的输出信号驱动所述第1开关对;第2驱动电路,其基于所述逆变器的输出信号驱动所述第2开关对;以及第3驱动电路,其基于所述开关控制信号驱动所述第3开关对,所述第1驱动电路以及所述第2驱动电路分别具备P沟道型MOSFET、第1二极管、第2二极管和连接于所述接地的N沟道型MOSFET,所述P沟道型MOSFET、所述第1二极管、所述第2二极管和所述N沟道型MOSFET串联连接,该第1二极管与该第2二极管的连接节点构成输出节点,连接该P沟道型MOSFET和该N沟道型MOSFET的栅极彼此来构成输入节点,所述浮栅控制电路基于被输入的开关控制信号,来切换使所述第1开关对以及所述第2开关对接通且使所述第3开关对断开、或者使所述第1开关对以及所述第2开关对断开且使所述第3开关对接通,所述浮栅控制电路被提供比施加给所述输入输出端子的最大电压低的低压电源。
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