[发明专利]用于驱动变压器的PWM死区吸收电路有效

专利信息
申请号: 201410380267.8 申请日: 2014-08-05
公开(公告)号: CN104124857B 公开(公告)日: 2017-12-12
发明(设计)人: 唐春光;杜香元;曹学良;郝敏强;曹学磊 申请(专利权)人: 曹学良
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266000 山东省青*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种用于驱动变压器的PWM死区吸收电路,包括变压器T1,与变压器T1输入端连接的功率MOSFET 管M1、M2和二极管D1、D2,二极管D1、D2的负极连接可控硅SCR正极,可控硅SCR负极和二极管D3正极连接VCC,或非门 U1输出端连接电容C1,电容C1的另一端连接二极管D3的负极,并与电阻R1相连,电阻R1另一端连接可控硅SCR触发极;功率MOSFET 管M1、M2的输入端分别连接PWM A和PWM B管。本发明解决了驱动变压器在PWM死区时间能量释放不充分,驱动方波下降时间不够短,造成被驱动开关器件关断不彻底、震荡甚至误导通以至损坏的问题。
搜索关键词: 用于 驱动 变压器 pwm 死区 吸收 电路
【主权项】:
一种用于驱动变压器的PWM死区吸收电路,其特征在于:包括变压器T1,与变压器T1输入端连接的功率MOSFET管M1、M2和二极管D1、D2,且所述二极管D1、D2的正极分别连接至变压器T1输入端的两端,二极管D1、D2的负极相连;功率MOSFET管M1、M2的漏极分别与二极管D1、D2的正极相连,功率MOSFET管M1、M2的源极分别接地;变压器输入端线圈L1和L2串联,线圈L1与二极管D1和功率MOSFET管M1的公共端相连,线圈L2与二极管D2和功率MOSFET管M2的公共端相连,且线圈L1和线圈L2的公共端连接至电源VCC;二极管D1、D2的负极连接可控硅SCR正极,可控硅SCR负极和二极管D3正极连接电源VCC,PWM A和PWM B信号输入或非门U1的输入端,PWM A和PWM B是相位互补的两路方波,或非门U1输出端连接电容C1,电容C1的另一端连接二极管D3的负极,并与电阻R1相连,电阻R1另一端连接可控硅SCR触发极;并且,PWM A和PWM B信号分别输入至功率MOSFET管M1、M2的栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于曹学良,未经曹学良许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410380267.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top