[发明专利]用于驱动变压器的PWM死区吸收电路有效
申请号: | 201410380267.8 | 申请日: | 2014-08-05 |
公开(公告)号: | CN104124857B | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
发明(设计)人: | 唐春光;杜香元;曹学良;郝敏强;曹学磊 | 申请(专利权)人: | 曹学良 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266000 山东省青*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于驱动变压器的PWM死区吸收电路,包括变压器T1,与变压器T1输入端连接的功率MOSFET 管M1、M2和二极管D1、D2,二极管D1、D2的负极连接可控硅SCR正极,可控硅SCR负极和二极管D3正极连接VCC,或非门 U1输出端连接电容C1,电容C1的另一端连接二极管D3的负极,并与电阻R1相连,电阻R1另一端连接可控硅SCR触发极;功率MOSFET 管M1、M2的输入端分别连接PWM A和PWM B管。本发明解决了驱动变压器在PWM死区时间能量释放不充分,驱动方波下降时间不够短,造成被驱动开关器件关断不彻底、震荡甚至误导通以至损坏的问题。 | ||
搜索关键词: | 用于 驱动 变压器 pwm 死区 吸收 电路 | ||
【主权项】:
一种用于驱动变压器的PWM死区吸收电路,其特征在于:包括变压器T1,与变压器T1输入端连接的功率MOSFET管M1、M2和二极管D1、D2,且所述二极管D1、D2的正极分别连接至变压器T1输入端的两端,二极管D1、D2的负极相连;功率MOSFET管M1、M2的漏极分别与二极管D1、D2的正极相连,功率MOSFET管M1、M2的源极分别接地;变压器输入端线圈L1和L2串联,线圈L1与二极管D1和功率MOSFET管M1的公共端相连,线圈L2与二极管D2和功率MOSFET管M2的公共端相连,且线圈L1和线圈L2的公共端连接至电源VCC;二极管D1、D2的负极连接可控硅SCR正极,可控硅SCR负极和二极管D3正极连接电源VCC,PWM A和PWM B信号输入或非门U1的输入端,PWM A和PWM B是相位互补的两路方波,或非门U1输出端连接电容C1,电容C1的另一端连接二极管D3的负极,并与电阻R1相连,电阻R1另一端连接可控硅SCR触发极;并且,PWM A和PWM B信号分别输入至功率MOSFET管M1、M2的栅极。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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