[发明专利]一种利用热分解特性获得自支撑氮化镓基板的方法在审
申请号: | 201410382392.2 | 申请日: | 2014-08-06 |
公开(公告)号: | CN104178807A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 金施耐;许桢;金东植 | 申请(专利权)人: | 上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司 |
主分类号: | C30B25/22 | 分类号: | C30B25/22;C30B29/40;H01L33/00 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 翁若莹 |
地址: | 201108 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种利用热分解特性获得自支撑氮化镓基板的方法。所述方法为:在蓝宝石基板上依次生长第一缓冲层、第二缓冲层;在第二缓冲层上高温生长氮化镓厚膜层;在氮化镓厚膜生长时,第一缓冲层高温热分解为镓和氮气,使氮化镓厚膜层与蓝宝石基板之间产生空隙;缓冲层和氮化镓厚膜层生长完后,在冷却过程中氮化镓厚膜层与蓝宝石基板逐渐分离,得到的氮化镓基板。采用本发明提供的氮化镓基板的方法,生产效率更高,能生产一定厚度的氮化镓基板且不易产生裂纹,提高生产质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 分解 特性 获得 支撑 氮化 镓基板 方法 | ||
【主权项】:
一种利用热分解特性获得自支撑氮化镓基板的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1):在蓝宝石基板(1)上依次生长第一缓冲层(3)、第二缓冲层(4);步骤2):在第二缓冲层(4)上高温生长氮化镓厚膜层(2);步骤3):在氮化镓厚膜层(2)生长时,第一缓冲层(3)高温热分解为镓(Ga)和氮气(N),使氮化镓厚膜层(2)与蓝宝石基板(1)之间产生空隙;步骤4):氮化镓厚膜层(2)生长完后,在冷却过程中氮化镓厚膜层(2)与蓝宝石基板(1)逐渐分离,得到的氮化镓基板。
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