[发明专利]一种适合于熔炼铸造法生产硅铝合金电子封装材料的合金成分有效
| 申请号： | 201410383758.8 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104141086A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 邢大伟 | 申请（专利权）人： | 邢大伟 |
| 主分类号： | C22C30/02 | 分类号： | C22C30/02;H01L23/29 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适合于熔炼铸造法生产硅铝合金电子封装材料的合金成分，其由以下合金元素组合而成(质量百分比)：硅铝合金：85～95％，磷：0.3～0.9％，锶：0.3～0.9％，硼：0.1～1.5％，镁：1.0～3.5％，铜：1.0～5.0％，铌：0.5～5.0％，钼：0.5～5.0％，稀土：0.02～0.2％。本发明针对熔炼铸造法设计了的合金成分配方，以该成分配方，再辅以加压成型铸造工艺，就可以获得合格的硅铝合金电子封装材料。相比于现有方法，本发明最大的优势和优点有两点：一是工艺简化，成型效率高；二是成本大大降低，对应于相同的产量，本发明成本只相当于喷射成型方案的三分之一以下。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适合于 熔炼 铸造 生产 铝合金 电子 封装 材料 合金 成分 | ||
【主权项】：
一种适合于熔炼铸造法生产硅铝合金电子封装材料的合金成分，其特征在于所述合金成分由以下合金元素组合而成(质量百分比)：硅铝合金：85～95％，磷：0.3～0.9％，锶：0.3～0.9％，硼：0.1～1.5％，镁：1.0～3.5％，铜：1.0～5.0％，铌：0.5～5.0％，钼：0.5～5.0％，稀土：0.02～0.2％。
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