[发明专利]一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片在审
| 申请号： | 201410383794.4 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104152992A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 雷琦;胡动力;何亮;陈红荣 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/36;C30B28/10 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，包括以下步骤：提供坩埚，在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界，所述籽晶的生长面晶向为(100)、(110)或(111)晶面族的晶向，所述籽晶的侧面晶向和生长面晶向垂直。本发明的相邻籽晶在生长过程中构成的晶界类型为重合位置点阵类型，晶界处的界面能很小，不易成为位错源，同时相邻籽晶的侧面晶向一致，使得生长过程中的相邻籽晶承受的应力状态相同，从而减少位错源的发生；本发明还提供了一种准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片，制得的准单晶的晶体质量较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 籽晶 铺设 方法 单晶硅 制备 | ||
【主权项】：
一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，其特征在于，包括以下步骤：提供坩埚，在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界，所述籽晶的生长面晶向为(100)、(110)或(111)晶面族的晶向，所述籽晶的侧面晶向和生长面晶向垂直。
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