[发明专利]适用于去除蚀刻后的光致抗蚀剂和底部抗反射涂层的组合物

摘要

公开了一种适用于去除蚀刻后的光致抗蚀剂和底部抗反射涂层的组合物。该水基组合物包含至少一种离液序列高的溶质、至少一种碱性碱和去离子水。采用该组合物在集成电路的制造中实现了硬化的光致抗蚀剂和/或BARC材料的高效去除，而不会不利地影响基片上的金属物质、例如铜，也不会破坏在微电子装置结构中使用的低k介电材料。

主权项

1.一种水基去除用组合物，该组合物适用于将光致抗蚀剂和/或底部抗反射涂层(BARC)材料从其所在的微电子装置基片上去除，所述组合物由在水性介质中的至少一种离液序列高的溶质和至少一种碱性盐所组成，其中该至少一种离液序列高的溶质包括选自如下的离液序列高的物质：2,4‑二氨基‑6‑甲基‑1,3,5‑三嗪；1,3,5‑三嗪；2,4‑二氨基‑6‑苯基‑l,3,5‑三嗪；2‑氯‑4,6‑二氨基‑l,3,5‑三嗪；2,4,6‑三甲氧基‑l,3,5‑三嗪；2,4‑二氨基‑l,3,5‑三嗪；2‑氨基‑l,3,5‑三嗪；2‑氨基‑4‑乙氧基‑6‑(甲氨基)‑l,3,5‑三嗪；2‑甲氧基‑4‑甲基‑6‑(甲氨基)‑l,3,5‑三嗪；及其组合，且其中该去除用组合物适用于将光致抗蚀剂和/或BARC材料从其所在的微电子装置上去除,其中基于组合物的总重量而言，所述组合物包含如下的组分：60.0％重量‑98.0％重量水性介质1.0％重量‑30.0％重量离液序列高的溶质；和1.0％重量‑10.0％重量碱性盐，其中组合物的这些组分的重量百分比总计不超过100％重量，且其中所述至少一种碱性盐包含不含金属离子的氢氧化物。