[发明专利]一种中山杉品种136的离体繁殖方法

摘要

本发明公开了一种中山杉品种136的离体繁殖方法，该方法包括以下步骤：(1)外植体选取及消毒的过程；(2)将1/2MS培养基进行改良；(3)将处理后的外植体切割并进行茎段初代诱导培养，高压静电场HVEF处理；(4)将步骤(3)中所得不定芽进行继代增殖培养；(5)将步骤(4)中所得无根试管苗进行生根诱导培养；(6)对步骤(5)中得到的无菌苗进行驯化炼苗并移栽。采用该发明的组织培养繁殖方法对中山杉136进行育苗，育苗时间短，且增殖率为88-93倍，生根率为89％，平均生根数为4.1条，炼苗成活率达到95％，能够高效的得到中山杉136种苗，很大程度满足了市场对中山杉136种苗的需求。

主权项

一种中山杉品种136的离体繁殖方法，其包括如下步骤：(1)外植体选取与消毒：选取春季中山杉136带有腋芽的枝条作为外植体，进行消毒处理；(2)改良1/2MS培养基的制备：用Ca(NO3)2.4H2O260mg/L代替原1/2MS培养基中的CaCl2.2H2O，用K2SO4560mg/L代替原1/2MS培养基中的KNO3，同时加入活性炭，浓度为：1500mg/L，其他组分均无变化；(3)不定芽的诱导：取步骤(1)中消毒后的外植体，切割成0.6‑0.8cm长的茎段，每个茎段至少带一腋芽，接种于诱导培养基，进行不定芽的诱导，培养温度为23±3℃，首先暗培养24h，然后光照培养20‑25天(光照时间为14小时/天，光照强度为1500‑2000lx)，湿度为50％～65％；其中，不定芽诱导培养基为所述改良1/2MS+6‑BA0.8mg/L+IBA0.3mg/L+GA30.5mg/L；(4)高压静电场HVEF处理：利用高压静电场仪器，进行静电场处理，强度为15KV/cm，时间30分钟；(5)继代增殖：将经高压静电场处理的不定芽接入继代增殖培养基，进行继代培养25‑30天，培养温度为23±3℃，光照时间为14小时/天，光照强度为1500‑2000lx，湿度为50％～65％；所述继代增殖培养基为所述改良1/2MS+6‑BA2.0mg/L+IBA0.5mg/L+ZT0.2mg/L+GA30.5mg/L；(6)生根培养：接入生根培养基中进行生根培养15‑20天，培养温度为23±3℃，光照时间为14小时/天，光照强度为1500‑2000lx；所述的生根培养基为所述改良1/2MS+NAA0.8mg/L+IBA0.3mg/L；(7)无菌苗的炼苗：将步骤(6)产生的中山杉136带根无菌苗的培养瓶瓶盖打开，室内培养5‑7天，然后移入采用多菌灵消毒的基质中，所述基质由体积比为2∶1∶1的泥炭土、蛭石以及珍珠岩组成。