[发明专利]一种FinFET及其制备方法

摘要

本发明提供了一种FinFET及其制备方法，通过在相邻鳍状结构的之间的沟槽形成有浅沟槽隔离结构(STI)，且在浅沟槽与鳍状结构及衬底之间设置有氧化层及材质为氮氧化硅的绝缘材料层，可很好的实现隔离效果，避免鳍状结构和衬底中的掺杂离子进行扩散，同时本发明可跳过传统FinFET制备工艺中高剂量的C‑co或F‑co的离子注入，进而降低离子注入时的轰击效应对衬底和鳍状结构所造成的损伤；进一步的，SSRW的形貌也能够实现良好的保持，并可有效提高载流子迁移率，极大提升了器件性能。

主权项

1.一种FinFET制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底之上形成有若干鳍状结构，各所述鳍状结构的顶部形成有衬垫氧化层和掩膜层；制备一氧化层将所述衬底、鳍状结构、衬垫氧化层和掩膜层暴露的表面进行覆盖，并在各所述鳍状结构顶部的氧化层上方制备一介质层；制备一层绝缘材料层将所述介质层的表面进行覆盖，同时该绝缘材料层将衬底表面的氧化层以及各所述鳍状结构侧壁的氧化层进行覆盖；沉积隔离材料层将各所述鳍状结构之间进行填充，研磨所述隔离材料层至所述绝缘材料层的上表面；回蚀所述隔离材料层形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的顶部高度低于所述鳍状结构的顶部高度；移除部分所述绝缘材料层、氧化层以及所述介质层、衬垫氧化层和掩膜层，将位于剩余隔离材料层顶部平面之上的鳍状结构表面予以暴露；在暴露的鳍状结构表面制备一层栅氧化层，沉积多晶硅并进行研磨；所述绝缘材料层的材质为氮氧化硅。