[发明专利]一种掺杂的肖特基势垒器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410384819.2 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104124283B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 关世瑛;洪旭峰 | 申请（专利权）人： | 上海芯石微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329;H01L21/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201605 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺杂的肖特基势垒器件及其制备方法；该肖特基势垒器件具有掺磷肖特基势垒区(P‑MSi)，较传统的肖特基器件，在金属硅化物中，进行低能量、小束流注入掺杂磷，通过快速退火激活磷杂质，形成掺杂磷的金属硅化物势垒结（P‑MSi），同等面积下，具有低的正向饱和压降(VF)的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 肖特基势垒 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂的肖特基势垒器件，其特征在于：势垒层为金属硅化物势垒层掺杂磷后，形成的一种掺杂的肖特基势垒层(P‑MSi),其由薄层金属与外延层顶部N‑型半导体材料，在450℃‑500℃氮气气氛下合金形成金属硅化物势垒层（MSi）后，采用低能量小束流注入掺杂磷后采用800‑900℃的快速退火，形成掺杂的势垒层（P‑MSi），掺杂的磷杂质激活后分布不能超过金属硅化物肖特基势垒层(MSi)厚度，外延层界面上留有薄层未受掺杂影响的金属硅化物层(MSi)。
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