[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 201410385267.7 | 申请日: | 2014-08-07 |
公开(公告)号: | CN104658988B | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 郑礼辉;蔡柏豪;洪瑞斌 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/48;H01L21/56 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括管芯、设置为邻近管芯的导电柱以及包围导电柱和管芯的模塑件,模塑件包括从导电柱的侧壁凸出并且设置在导电柱的顶面上的凸部。另外,一种制造半导体器件的方法包括设置管芯,邻近管芯设置导电柱,在导电柱和管芯上方设置模塑件,从模塑件的顶部去除部分模塑件以及在导电柱的顶面之上形成模塑件的凹部。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:管芯;第一导电柱,设置在所述管芯的焊盘上;钝化件,设置在所述管芯的表面上方以及所述焊盘上方;第一聚合物,设置在所述钝化件上方;第二导电柱,设置为邻近所述管芯;以及模塑件,包围所述第二导电柱和所述管芯,其中,所述模塑件包括从所述第二导电柱的侧壁凸出并且设置在所述第二导电柱的顶面上的凸部,所述模塑件还包括设置在所述侧壁与所述钝化件之间以及所述侧壁与所述第一聚合物之间的部分;所述模塑件的凸部的顶面与所述第一导电柱的顶面齐平,所述第一导电柱和所述第二导电柱配置为将所述管芯内的电路与所述管芯外的电路电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410385267.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件及其制造方法
- 下一篇:快闪存储器及其形成方法