[发明专利]一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于：采用本发明的制备方法制备的背沟道刻蚀型薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、有源区、源区、漏区、钝化层、源区接触电极和漏区接触电极；栅电极设置在衬底上，栅介质层覆盖在衬底和栅电极上，有源区设置在栅介质层上，源区和漏区均位于有源区及栅介质层上，并分别设置在有源区两侧，钝化层覆盖在衬底、栅介质层、有源区、源区和漏区上，源区接触电极的一端连接源区，源区接触电极的另一端位于钝化层上，漏区接触电极的一端连接漏区，漏区接触电极的另一端位于钝化层上。本发明可以广泛应用于薄膜晶体管及显示面板的制备过程中。

主权项

1.一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述背沟道刻蚀型薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、有源区、源区、漏区、钝化层、源区接触电极和漏区接触电极；所述栅电极设置在所述衬底上，所述栅介质层覆盖在所述衬底和栅电极上，所述有源区设置在所述栅介质层上，所述源区和漏区均位于所述有源区及栅介质层上，并分别设置在所述有源区两侧，所述钝化层覆盖在所述衬底、栅介质层、有源区、源区和漏区上，所述源区接触电极的一端连接所述源区，所述源区接触电极的另一端位于所述钝化层上，所述漏区接触电极的一端连接所述漏区，所述漏区接触电极的另一端位于所述钝化层上；所述衬底采用刚性材料或柔性材料；刚性材料采用刚性玻璃和硅片中的一种；柔性材料采用聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺中和柔性玻璃的一种；所述栅介质层采用氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化铪、氧化钽、氧化锆和有机介质中的一种或多种构成，所述栅介质层的厚度为5nm～400nm；所述制备方法包括以下步骤：1)在衬底上淀积一栅极导电层；当衬底采用柔性衬底时，在衬底与栅极导电层之间沉积一缓冲层；2)在栅极导电层上旋涂光刻胶，通过光刻及刻蚀工艺将栅极导电层图形化为栅电极；去除光刻胶并清洗衬底及栅电极；3)在衬底和栅电极上淀积一栅介质层；4)在栅介质层上淀积一有源区，在有源区上旋涂光刻胶，并通过光刻及刻蚀工艺将有源区图形化，去除光刻胶并清洗衬底及有源区；该有源区为IGZO；5)在有源区上淀积一铝/铝合金层；6)在铝/铝合金层上旋涂光刻胶并光刻；7)将通过步骤1)～步骤6)制备的器件放置在刻蚀液中，采用刻蚀液刻蚀铝/铝合金层形成源区和漏区；去除光刻胶并清洗衬底、源区和漏区；采用显影液作为刻蚀液刻蚀铝/铝合金层；在刻蚀铝/铝合金层之后、去除光刻胶之前，采用一氧化二氮等离子体或氧等离子体或臭氧等离子体处理有源区；8)在衬底、栅电极、栅介质、有源区、源区和漏区的表面淀积一层钝化层；在钝化层表面旋涂光刻胶，采用光刻和刻蚀工艺对钝化层进行处理，形成源区接触孔和漏区接触孔；去除光刻胶并清洗衬底及钝化层；9)在钝化层上、源区接触孔和漏区接触孔内均淀积导电层；在导电层表面旋涂光刻胶，采用光刻和刻蚀工艺对导电层进行处理，形成源区接触电极和漏区接触电极；去除光刻胶并清洗衬底及源区接触电极和漏区接触电极；10)对通过步骤1)～步骤9)制备的器件进行退火处理。