[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201410385446.0 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104637905A | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 李明机;蔡豪益;陈宪伟;郭鸿毅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件及其形成方法。提供了一种具有位于介电层上方的凸块下金属层(UBM)的半导体器件。UBM具有配置为偏离UBM的中心点的沟槽。沟槽中心到UBM的边缘之间的距离大于沟槽中心到UBM的相对边缘之间的距离。探针配置为接触UBM并采集测量数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：凸块下金属层(UBM)，位于介电层的上方，所述UBM具有沟槽，其中，所述沟槽偏离所述UBM的中心点，所述沟槽在所述沟槽的中心处具有基部。
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