[发明专利]一种提升GaN基发光器件p型欧姆接触性能的方法有效
| 申请号： | 201410385834.9 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104201255B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 胡晓龙;王洪;郑群儒;赵卓立;揭敢新 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 511400 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明一种提升GaN基发光器件p型欧姆接触性能的方法，包括如下步骤并对蓝宝石为基底的GaN基发光外延片的p型GaN进行激活处理；在p型GaN一侧制作100~300 nm厚度的铟锡氧化物ITO层；在氮气环境中，对样品进行退火处理，退火温度恒定在450~550℃，退火时间1~15分钟；用酸溶液腐蚀，去除铟锡氧化物ITO；去除铟锡氧化物ITO后的样品表面进行传统结构的p型GaN欧姆接触工艺，完成p型接触电极的制作。采用本发明的方法，ITO退火后可以使得p型GaN表面的Ga2p的结合能下降，从而降低肖特基接触势垒高度，因此有利于获得更优异的欧姆接触特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 gan 发光 器件 欧姆 接触 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种提升GaN基发光器件p型欧姆接触性能的方法，其特征在于包括如下步骤：（1）提供蓝宝石为基底的GaN基发光外延片，并对外延片的p型GaN进行激活处理；（2）对得到的样品进行清洗处理，在p型GaN一侧制作100 nm~300 nm厚度的铟锡氧化物ITO层；（3）在氮气环境中，对样品进行退火处理，退火温度恒定在450℃~550℃，退火时间1分钟~15分钟；（4）用酸溶液腐蚀，去除铟锡氧化物ITO；（5）去除铟锡氧化物ITO后的样品表面进行p型GaN欧姆接触工艺，完成p型接触电极的制作。
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