[发明专利]阻隔膜及其制作方法在审
申请号: | 201410386722.5 | 申请日: | 2014-08-07 |
公开(公告)号: | CN104143609A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 于甄;胡坤 | 申请(专利权)人: | 张家港康得新光电材料有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;C23C28/04;C23C14/08;C23C16/40 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 215634 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种阻隔膜及其制作方法。该阻隔膜包括:柔性基体;设置于柔性基体上的第一无机氧化物薄膜;设置于第一无机氧化物薄膜上的第二无机氧化物薄膜;以及设置于第二无机氧化物薄膜上的保护膜,其中,第一无机氧化物薄膜由溅射或蒸发工艺制备而成,第二无机氧化物薄膜由化学气相沉积工艺制备而成。该制作方法包括:提供柔性基体;通过溅射或蒸发工艺在柔性基体上形成第一无机氧化物薄膜;通过化学气相沉积工艺在第一无机氧化物薄膜上形成第二无机氧化物薄膜;以及在第二无机氧化物薄膜上形成保护膜。该阻隔膜的阻隔性能得以提高,且其生产成本得以降低。 | ||
搜索关键词: | 阻隔 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种阻隔膜,其特征在于,所述阻隔膜包括:柔性基体;第一无机氧化物薄膜,设置于所述柔性基体上,且所述第一无机氧化物薄膜由溅射或蒸发工艺制备而成;第二无机氧化物薄膜,设置于所述第一无机氧化物薄膜上,且所述第二无机氧化物薄膜由化学气相沉积工艺制备而成;以及保护膜,设置于所述第二无机氧化物薄膜上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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