[发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201410386885.3 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN105448689B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 杨俊;蒋莉;黎铭琦;朱普磊;李先涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法包括：步骤S101：采用第一抛光浆料对铝栅极进行第一次化学机械抛光；步骤S102：采用第二抛光浆料对所述铝栅极进行第二次化学机械抛光，其中所述第二抛光浆料的浓度小于所述第一抛光浆料的浓度；步骤S103：对经抛光处理的铝栅极的表面进行清洗。该方法可以降低铝栅极表面的金属离子残留并改善铝栅极表面的不平整度，提高半导体器件的良率。本发明的电子装置，包括采用上述方法制造的半导体器件，因而同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：采用第一抛光浆料对铝栅极进行第一次化学机械抛光；步骤S102：采用第二抛光浆料对所述铝栅极进行第二次化学机械抛光，其中所述第二抛光浆料的浓度小于所述第一抛光浆料的浓度；步骤S103：对经抛光处理的所述铝栅极的表面进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
