[发明专利]多级灰度光掩模、其制造方法以及显示装置的制造方法在审
申请号: | 201410389535.2 | 申请日: | 2014-08-08 |
公开(公告)号: | CN105022223A | 公开(公告)日: | 2015-11-04 |
发明(设计)人: | 金台勲;金成辰;李锡薫 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F1/80 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供不产生由湿式蚀刻和对准错位造成的图案劣化地、高精度地形成具有透光部与遮光部之间的边界和半透光部与遮光部之间的边界的转印用图案来制造显示装置制造用的多级灰度光掩模的方法。在具有具备通过形成在透明基板上的遮光膜和半透光膜分别被图案化而形成的遮光部、半透光部和透光部的转印用图案的多级灰度光掩模的制造方法中,上述转印用图案具有上述遮光部与上述透光部邻接的部分和上述半透光部与上述透光部邻接的部分,具有规定工序。 | ||
搜索关键词: | 多级 灰度 光掩模 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
一种多级灰度光掩模的制造方法,是具有转印用图案的多级灰度光掩模的制造方法,所述转印用图案具备通过形成在透明基板上的遮光膜和半透光膜分别被图案化而形成的遮光部、半透光部和透光部,其特征在于,所述转印用图案具有所述遮光部与所述透光部邻接的部分和所述半透光部与所述透光部邻接的部分,所述多级灰度光掩模的制造方法具有:准备在所述透明基板上形成有所述遮光膜的光掩模坯的工序;蚀刻除去成为所述遮光部的区域以外区域的遮光膜从而形成所述遮光部的工序;在形成有所述遮光部的所述透明基板上形成所述半透光膜的工序;在所述半透光膜上形成在包括成为所述透光部的区域的区域具有开口的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案形成工序;将所述抗蚀剂图案作为掩模来对所述半透光膜进行蚀刻的半透光膜蚀刻工序;以及除去所述抗蚀剂图案的工序,在所述抗蚀剂图案形成工序中,形成具有开口的抗蚀剂图案,所述开口的尺寸是对与所述遮光部邻接的成为所述透光部的区域的尺寸加上对准边缘后的尺寸,在所述半透光膜蚀刻工序中,在所述抗蚀剂图案的开口内,成为所述透光部的区域的所述透明基板露出,并且在所述遮光部的与所述透光部邻接的边缘部分,所述遮光膜上的所述半透光膜在厚度方向至少一部分被蚀刻。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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