[发明专利]使用蚀刻察觉印刷回避增进安全次解析辅助特征印刷的制程

摘要

本发明提供一种使用蚀刻察觉印刷回避增进安全次解析辅助特征印刷的制程。具体实施例包括对具有待形成于衬底上的多个特征和多个次解析辅助特征(SARF)两者的掩模进行掩模至阻剂模拟；侦测将透印至阻剂的多个次解析辅助特征；检查所侦测的次解析辅助特征的尺寸以判断一个或多个次解析辅助特征是否将渗透蚀刻至衬底；修改一个或多个次解析辅助特征；以及在一个或多个次解析辅助特征已修改后形成掩模。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，包含：对具有多个待形成于衬底上的特征和多个次解析辅助特征(SRAF)两者的掩模进行掩模至阻剂模拟；侦测多个将透印至阻剂的次解析辅助特征，并同时产生能够在所述模拟前预测所述将透印至阻剂的次解析辅助特征的校准印刷次解析辅助特征模型；检查所侦测的次解析辅助特征的尺寸，以判断一个或多个所述次解析辅助特征是否将渗透蚀刻至该衬底；反复减小该一个或多个所述次解析辅助特征的尺寸，直到该一个或多个所述次解析辅助特征达到将透印至该阻剂但将不渗透蚀刻至该衬底的最大尺寸；以及在该一个或多个所述次解析辅助特征已修改后形成该掩模。