[发明专利]键合衬底表面的处理方法在审
| 申请号： | 201410389772.9 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104167353A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 程卫华;梅绍宁;陈俊;朱继锋 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种键合衬底表面的处理方法，包括如下步骤：提供一键合衬底；沉积一绝缘层覆盖键合衬底的表面；于绝缘层上方沉积一辅助层以将绝缘层的表面予以覆盖；按照从上到下的顺序依次部分刻蚀辅助层和绝缘层至键合衬底的表面，以形成通孔；于通孔中填充金属后，采用平坦化工艺去除多余的金属；继续去除辅助层后，形成金属突出于键合衬底的键合界面。本发明通过于传统的金属后段互连工艺之前，沉积与绝缘层化学特性不同的辅助层覆盖绝缘层的表面，以便在后续金属平坦化工艺后，可以采用选择性刻蚀的方法去除该辅助层，从而能得到金属突出于键合衬底表面的键合界面，进而能够有效降低混合键合对键合界面平坦度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种键合衬底表面的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一键合衬底；沉积一绝缘层覆盖所述键合衬底的表面；于所述绝缘层上方沉积一辅助层以将所述绝缘层的表面予以覆盖；按照从上到下的顺序依次部分刻蚀所述辅助层和所述绝缘层至所述键合衬底的表面，以形成通孔；于所述通孔中填充金属后，采用平坦化工艺去除多余的金属；继续去除所述辅助层后，形成金属突出于所述键合衬底的键合界面；其中，所述辅助层与所述绝缘层的材质不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410389772.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：钨化合物的回收方法
- 下一篇：用于进行煤砖制造的方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
