[发明专利]一种阵列基板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201410390605.6 申请日: 2014-08-08
公开(公告)号: CN104166261B 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 徐向阳 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1333 分类号: G02F1/1333;G02F1/1362
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种阵列基板及其制作方法,该阵列基板包括玻璃基板、数据线、扫描线、像素电极、薄膜晶体管以及彩膜光阻;其中第二绝缘层用于对第二金属层与彩膜光阻层进行绝缘处理,第二绝缘层包括氮化硅绝缘层以及二氧化硅绝缘层。本发明还提供一种阵列基板的制作方法,本发明的阵列基板及其制作方法通过设置具有氮化硅绝缘层以及二氧化硅绝缘层的第二绝缘层,并将彩膜光阻设置在第二绝缘层的二氧化硅绝缘层上,使得彩膜光阻不易从第二绝缘层上脱落。
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制作方法
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括:玻璃基板,其上依次设置有第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、彩膜光阻层、第三绝缘层以及透明电极层;其中所述第一绝缘层用于对所述第一金属层与所述第二金属层进行绝缘处理;所述第三绝缘层用于对所述彩膜光阻层和所述透明电极层进行绝缘处理;所述第二绝缘层用于对所述第二金属层与所述彩膜光阻层进行绝缘处理;所述第二绝缘层包括氮化硅绝缘层以及设置在所述氮化硅绝缘层上的二氧化硅绝缘层;所述彩膜光阻层设置于所述二氧化硅绝缘层上,其中,所述二氧化硅绝缘层为使用等离子体对所述二氧化硅绝缘层的表面进行轰击得到的,二氧化硅绝缘层的表面粗糙度高于所述氮化硅绝缘层的表面粗糙度;其中所述第二绝缘层的所述氮化硅绝缘层的厚度为50纳米至100纳米;所述第二绝缘层的所述二氧化硅绝缘层的厚度为50纳米至100纳米;其中所述第三绝缘层为氮化硅绝缘层或二氧化硅绝缘层,所述第三绝缘层的厚度为100纳米至200纳米;所述第一绝缘层为氮化硅绝缘层,所述第一绝缘层的厚度为100纳米至300纳米。
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