[发明专利]根据图形特征对自动聚焦光强进行补偿的缺陷检测方法有效
| 申请号： | 201410390806.6 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104201124B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种根据图形特征对自动聚焦光强进行补偿的缺陷检测方法，包括第一步骤，用于将芯片置于聚焦光路下，从而利用聚焦光路对具有不同电路特征区域的芯片上进行扫描；第二步骤，用于根据扫描结果获得聚焦光路反射信号强度分布；第三步骤，用于根据聚焦光路反射信号强度分布对芯片上的聚焦光路反射信号强度按照不同的强度梯度设定多个聚焦光路反射信号强度区域；第四步骤，用于对所述多个聚焦光路反射信号强度区域中不满足焦距强度阈值要求的区域设定信号放大系数，并以所述信号放大系数来放大聚焦光路中照射所述不满足焦距强度的区域的聚焦光部分的强度；第五步骤，用于利用所述聚焦光部分放大后的聚焦光路对芯片进行扫描。 | ||
| 搜索关键词： | 根据 图形 特征 自动 聚焦 进行 补偿 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种根据图形特征对自动聚焦光强进行补偿的缺陷检测方法，其特征在于包括：第一步骤，用于将芯片置于聚焦光路下，从而利用聚焦光路对具有不同电路特征区域的芯片上进行扫描；第二步骤，用于根据扫描结果获得聚焦光路反射信号强度分布；第三步骤，用于根据聚焦光路反射信号强度分布对芯片上的聚焦光路反射信号强度按照不同的强度梯度设定多个聚焦光路反射信号强度区域；第四步骤，用于对所述多个聚焦光路反射信号强度区域中不满足焦距强度阈值要求的区域设定信号放大系数，并以所述信号放大系数来放大聚焦光路中照射所述不满足焦距强度的区域的聚焦光部分的强度；第五步骤，用于利用所述聚焦光部分放大后的聚焦光路对芯片进行扫描。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
