[发明专利]形貌测试片及其形成方法在审
| 申请号： | 201410390809.X | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104157587A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 邱裕明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种形貌测试片及其形成方法，包括：提供一待回收的标准监控片，所述标准监控片包括一半导体衬底及设置于所述半导体衬底上的掺杂区；清洗所述标准监控片以去除所述标准监控片上的杂质；在所述标准监控片上形成一保护层；研磨所述保护层但不暴露出所述掺杂区，形成形貌测试片。通过对标准监控片进行清洗、形成保护层、再研磨的方法回收标准监控片并再利用为形貌测试片，提高了标准监控片的回收利用率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 形貌 测试 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
形貌测试片的形成方法，其特征在于，包括：提供一待回收的标准监控片，所述标准监控片包括一半导体衬底及设置于所述半导体衬底上的掺杂区；清洗所述标准监控片以去除所述标准监控片上的杂质；在所述标准监控片上形成一保护层；研磨所述保护层但不暴露出所述掺杂区，形成形貌测试片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
